一种采用单次电子束曝光制备T型栅的方法
王显泰; 钟英辉; 金智; 汪宁
2012-06-20
著作权人中国科学院微电子研究所
专利号CN102509704A
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明涉及半导体器件工艺领域,提出一种T型栅制作的工艺方法:采用具有良好稳定度的4层结构的叠层胶,只需一次电子束写入栅脚图形,配合所本发明的多次分层显影的方法,可以获得T型栅所需的空间图形,以制备T型栅,该方法有效的减小了电子束写入面积,相应减小了机时占用。

公开日期2012-06-20
申请日期2011-12-26
语种中文
内容类型专利
源URL[http://10.10.10.126/handle/311049/9907]  
专题微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
王显泰,钟英辉,金智,等. 一种采用单次电子束曝光制备T型栅的方法. CN102509704A. 2012-06-20.
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