| 半导体器件及其制造方法 | |
| 尹海洲; 蒋葳 | |
| 2012-03-29 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明公开了半导体器件，包括：在衬底上的第一外延层；在第一外延层上的第二外延层，在第二外延层的有源区中形成MOSFET；反T型的STI，形成在第一外延层和第二外延层中，并且包围有源区。依照本发明的半导体器件及其制造方法，选择性刻蚀双层外延层从而形成反T型的STI，有效减少器件泄漏电流而同时又不会缩小有源区面积，提高了器件的可靠性。 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16719]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尹海洲,蒋葳. 半导体器件及其制造方法. 2012-03-29. |
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