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| 半导体器件制造方法 专利 专利号: CN201410360690.1, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2016-02-17 作者: 王桂磊 ; 李俊峰 ; 赵超![](/image/person.jpg)
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| 半导体器件制造方法 专利 专利号: CN201410360703.5, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2016-03-16 作者: 王桂磊 ; 李俊峰 ; 赵超![](/image/person.jpg)
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| 一种闪存器件及其制造方法 专利 专利号: CN201010171371.8, 申请日期: 2014-09-24, 公开日期: 2011-11-09 作者: 朱慧珑 ; 骆志炯 ; 尹海洲![](/image/person.jpg)
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| 一种纳米尺度非挥发性阻变存储器单元及其制备方法 专利 专利号: CN201010574384.X, 申请日期: 2013-11-06, 公开日期: 2012-06-06 作者: 吕杭炳 ; 牛洁斌 ; 龙世兵 ; 刘明 ; 张康玮![](/image/person.jpg)
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| 一种石墨烯导电薄膜的制备方法 专利 专利号: CN103345979A, 申请日期: 2013-10-09, 作者: 张大勇 ; 金智 ; 史敬元 ; 麻芃
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| 一种基于柔性基板封装的屏蔽结构及其制作工艺 专利 专利号: CN102254898A, 申请日期: 2011-11-23, 公开日期: 2011-11-23 作者: 陶文君; 曹立强 ; 万里兮 ; 李君![](/image/person.jpg)
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| 二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器 专利 专利号: CN200710304220.3, 申请日期: 2010-06-16, 公开日期: 2009-07-01 作者: 管伟华; 刘琦 ; 刘明 ; 龙世兵 ; 贾锐![](/image/person.jpg)
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| 各向异性有机场效应管的制备方法 专利 专利号: CN200810227862.2, 公开日期: 2009-05-06 作者: 刘明 ; 姬濯宇 ; 王宏 ; 商立伟![](/image/person.jpg)
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| 基于衬底修饰制备各向异性有机场效应管的方法 专利 专利号: CN200810227480.X, 公开日期: 2010-06-16 作者: 姬濯宇 ; 刘明 ; 商立伟![](/image/person.jpg)
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