一种闪存器件及其制造方法

	一种闪存器件及其制造方法
	朱慧珑; 骆志炯; 尹海洲
	2014-09-24
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201010171371.8
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种闪存器件，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的闪存区；其中，所述闪存区包括：第一掺杂阱，所述第一掺杂阱内通过隔离区分为第一区和第二区，所述第二区内掺杂了与所述第一掺杂阱的导电性能相反的杂质；形成于所述第一掺杂阱上的高k栅介质层；形成于所述高k栅介质层上的金属层。本发明实现了高K介质金属栅与可擦写闪存的兼容，提高了闪存的工作性能。本发明还提供一种与之对应的制造方法，极大地提高了闪存器件的生产效率和成品率。
公开日期	2011-11-09
申请日期	2010-05-07
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/13428]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	朱慧珑,骆志炯,尹海洲. 一种闪存器件及其制造方法. CN201010171371.8. 2014-09-24.