二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器

	二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器
	管伟华; 刘琦; 刘明; 龙世兵; 贾锐
	2010-06-16
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200710304220.3
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明公开了一种基于离子注入的二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器，该存储器包括：一上导电电极；一下导电电极；一位于该上导电电极与下导电电极之间的二元过渡族金属氧化物薄膜，该二元过渡族金属氧化物薄膜中注入有离子。本发明在二元过渡族金属氧化物中注入离子，可以极大地提高器件的产率，增加器件高、低阻态之间的比值，减小各个器件之间电阻转变特性的离散值。本发明的存储器器件具有结构简单，易集成，成本低，与传统的硅平面 CMOS工艺兼容等优点，有利于本发明的广泛推广和应用。
公开日期	2009-07-01
申请日期	2007-12-26
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/7632]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	管伟华,刘琦,刘明,等. 二元过渡族金属氧化物非挥发电阻转变型存储器. CN200710304220.3. 2010-06-16.