一种纳米尺度非挥发性阻变存储器单元及其制备方法

CORC > 微电子研究所 > 中国科学院微电子研究所 > 微电子器件与集成技术重点实验室

	一种纳米尺度非挥发性阻变存储器单元及其制备方法
	吕杭炳; 牛洁斌; 龙世兵; 刘明; 张康玮; 刘琦; 王艳花; 陈宝钦
	2013-11-06
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201010574384.X
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明涉及半导体存储器技术领域，公开了一种利用HSG电子抗蚀剂的纳米尺度非挥发性阻变存储器单元及其制备方法，该存储器主要包括：第一导电电极、由HSQ电子束抗蚀剂经电子束曝光和显影后形成的通孔及第一阻变材料、第二阻变材料、第二金属纳米层、第三阻变材料、第三导电电极。利用HSQ电子束抗蚀剂曝光显影后留下的部分作为通孔，通孔的直径可小至纳米量级，通孔底部未完全显影掉的HSQ电子束抗蚀剂可作为阻变材料的一部分或全部。利用本发明，可获得器件面积小、产率高、性能良好的电阻转变存储器，而且这种半导体存储器易于大规模集成和实用化。
公开日期	2012-06-06
申请日期	2010-12-06
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/14723]
专题	微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	吕杭炳,牛洁斌,龙世兵,等. 一种纳米尺度非挥发性阻变存储器单元及其制备方法. CN201010574384.X. 2013-11-06.