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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 学科主题：Physics, Multidisciplinary     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Simulation of phase-change random access memory with ring-type contactor for low reset current by finite element modelling 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2008, 卷号: 25, 期号: 9, 页码: 3455-3458 Gong, YF; Ling, Y; Song, ZT; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2012/03/24 CRYSTALLIZATION  OPERATION  DEVICE   Ge1Sb2Te4 based chalcogenide random access memory array fabricated by 0.18-mu m CMOS technology 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 790-792 Zhang, T; Song, ZT; Feng, GM; Liu, B; Wu, LC; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 THIN-FILMS  PHASE  CRYSTALLIZATION  ALLOYS  DEVICE   Chalcogenide random access memory cell with structure of W sub-microtube heater electrode 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 1, 页码: 262-264 Bo, L; Feng, GM; Wu, LC; Song, ZT; Liu, QB; Feng, SL; Bomy, C 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/24 PHASE-CHANGE MEMORY  ION-BEAM METHOD  SB2TE3 MATERIAL  GE2SB2TE5 FILM  ELEMENT  CRYSTALLIZATION   Si1Sb2Te3 phase change material for chalcogenide random access memory 期刊论文 CHINESE PHYSICS, 2007, 卷号: 16, 期号: 8, 页码: 2475-2478 Zhang, T; Song, ZT; Liu, B; Liu, WL; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/03/24 OVONIC UNIFIED MEMORY  AMORPHOUS THIN-FILMS  OPTICAL DISK  RESISTANCE MEASUREMENTS  ELECTRICAL-PROPERTIES  GE2SB2TE5 FILM  TE GLASSES  CRYSTALLIZATION  IMPLANTATION  BEHAVIOR   Phase transition phenomena in ultra-thin Ge2Sb2Te5 film 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1803-1805 Zhang, T; Liu, B; Song, ZT; Liu, WL; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 OVONIC UNIFIED MEMORY  CRYSTALLIZATION   Reversible phase change for C-RAM nano-cell-element fabricated by focused ion beam method 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 3, 页码: 758-761 Liu, B; Song, ZT; Feng, SL; Chen, BM 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/03/24 RANDOM-ACCESS MEMORY  GE2SB2TE5 FILMS  CRYSTALLIZATION  TEMPERATURE  MEDIA   Novel material for nonvolatile ovonic unified memory (OUM)-Ag11In12Te26Sb51 phase change semiconductor 期刊论文 CHINESE PHYSICS, 2004, 卷号: 13, 期号: 7, 页码: 1167-1170 Liu, B; Song, ZT; Zhang, T; Feng, SL; Gan, FX 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/24 AMORPHOUS THIN-FILMS  OPTICAL DISK  TELLURIDE GLASSES  HIGH-DENSITY  CRYSTALLIZATION  TRANSITION  GE20TE80-XBIX  AG   Effect of annealing temperature on the microstructure and resistivity of Ge2Sb2Te5 films 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 21, 期号: 6, 页码: 1143-1146 Liu, B; Song, ZT; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 REVERSIBLE PHASE-TRANSITION  AMORPHOUS THIN-FILMS  ELECTRICAL-PROPERTIES  TELLURIDE GLASSES  MEMORY  CRYSTALLIZATION  SEMICONDUCTORS  GE20TE80-XBIX   Structure and electrical properties of Ge2Sb2Te5 thin film used for Ovonic unified memory 期刊论文 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 741-743 Zhang, T; Liu, B; Xia, JL; Song, ZT; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 REVERSIBLE PHASE-TRANSITION  TELLURIDE GLASSES  CRYSTALLIZATION  SEMICONDUCTORS  GE20TE80-XBIX