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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2010    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 晶体管及其制造方法 专利 申请日期: 2010-12-29, 作者:  梁擎擎;  朱慧珑;  钟汇才 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2016/09/18 基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计 专利 专利号: CN200710179354.7, 申请日期: 2010-12-08, 公开日期: 2009-06-17 作者:  赵超荣;  刘梦新;  韩郑生;  刘刚 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/26 用于调节PMOS器件的金属栅功函数的方法 专利 申请日期: 2010-06-28, 作者:  徐秋霞;  许高博 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/09/30 一种制备金属性金属氮化物薄膜的方法 专利 专利号: CN101740369A, 申请日期: 2010-06-16, 公开日期: 2010-06-16 作者:  王文武;  陈世杰 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/26 一种适用于NMOS器件的金属栅功函数的调节方法 专利 申请日期: 2010-05-19, 公开日期: 2016-03-02 作者:  徐秋霞;  许高博 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/03/02 一种纳米线共振压电场效应晶体管的制作方法 专利 申请日期: 2010-04-09, 作者:  张海英;  徐静波 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2016/10/10