一种适用于NMOS器件的金属栅功函数的调节方法 | |
徐秋霞; 许高博 | |
2010-05-19 | |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 一种适用于NMOS器件的金属栅功函数的调节方法,利用物理汽相淀积方法在高K介质上面淀积一层金属氮化物膜或金属膜,作为金属栅电极,然后采用离子注入方法往金属栅电极中注入Tb或Er或Yb或Sr等元素,通过高温热退火将掺杂金属离子驱进到金属栅电极与高K栅介质的界面上形成堆积或者通过界面反应在高K栅介质与SiO2的界面上形成偶极子,达到调节金属栅有效功函数的目的。此方法具有普适性,工艺简单方便,调节金属栅功函数的能力强,与CMOS工艺兼容性很好。 |
公开日期 | 2016-03-02 |
状态 | 公开 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/14187] |
专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐秋霞,许高博. 一种适用于NMOS器件的金属栅功函数的调节方法. 2010-05-19. |
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