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科研机构
半导体研究所 [11]
西安光学精密机械研究... [7]
大连理工大学 [1]
沈阳自动化研究所 [1]
内容类型
专利 [20]
发表日期
2001 [20]
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共20条,第1-10条
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发表日期:2001
内容类型:专利
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条数/页:
5
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95
100
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垂直关节型机器人操作机
专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN2465893Y, 申请日期: 2001-12-19, 公开日期: 2001-12-19
作者:
王泰耀
;
齐晓东
;
张学成
;
任小强
;
侯建平
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2013/10/15
一种高温碳化硅半导体材料制造装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-12-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
李晋闽
;
孙国胜
;
朱世荣
;
曾一平
;
孙殿照
;
王雷
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2009/06/11
高电子迁移率晶体管及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-12-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
潘钟
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2009/06/11
感光感熱記録材料への画像記録方法、及び画像記録装置
专利
专利号: JP2001315381A, 申请日期: 2001-11-13, 公开日期: 2001-11-13
作者:
早川 利郎
;
袴田 和男
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/12/31
具有等边三角形微光学谐振腔的光电器件
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-10-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
黄永箴
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2009/06/11
一种平面微腔增强型探测器及其使用方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-10-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
作者:
谭平恒
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2009/06/11
一种氮化物半导体器件
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-10-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
陆大成
;
刘祥林
;
袁海荣
;
王晓晖
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2009/06/11
MOCVD growth of InGaN quantum well laser structures on a grooved lower waveguiding layer
专利
专利号: US6285698, 申请日期: 2001-09-04, 公开日期: 2001-09-04
作者:
ROMANO, LINDA T.
;
HOFSTETTER, DANIEL
;
PAOLI, THOMAS L.
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/12/24
变温的高阻半导体材料光电测试装置
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2001-08-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
张砚华
;
卢励吾
;
樊志军
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2009/06/11
高温高压气体容器的轴的动态密封装置
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2001-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15
白玉珂
收藏
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浏览/下载:64/3
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提交时间:2009/06/11
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