变温的高阻半导体材料光电测试装置
张砚华 ; 卢励吾 ; 樊志军
2001-08-22
专利类型实用新型
英文摘要Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-06-04T08:36:34Z No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5); Made available in DSpace on 2009-06-04T08:36:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5) Previous issue date: 2008-08; Made available in DSpace on 2009-06-11T08:57:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 full/00258011.pdf: 264436 bytes, checksum: f8cc81d70848cc4556d4843bdd5c1a51 (MD5) Previous issue date:
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11 ; 2010-10-15
申请日期2000-10-24
语种中文
专利申请号CN00258011.X
内容类型专利
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3293]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
张砚华,卢励吾,樊志军. 变温的高阻半导体材料光电测试装置. 2001-08-22.
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