| 一种氮化物半导体器件 | |
| 陆大成 ; 刘祥林 ; 袁海荣 ; 王晓晖 | |
| 2001-10-10 | |
| 专利类型 | 发明 |
| 英文摘要 | Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-06-04T08:36:34Z No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5); Made available in DSpace on 2009-06-04T08:36:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5) Previous issue date: 2008-08; Made available in DSpace on 2009-06-11T08:57:37Z (GMT). No. of bitstreams: 1 full/00105756.pdf: 628721 bytes, checksum: 9d21072efa62187a8b1211adf5e56e3d (MD5) Previous issue date: |
| 公开日期 | 2009-06-04 ; 2009-06-11 ; 2010-10-15 |
| 申请日期 | 2000-04-05 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN00105756.1 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3049]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆大成,刘祥林,袁海荣,等. 一种氮化物半导体器件. 2001-10-10. |
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