一种高温碳化硅半导体材料制造装置 | |
李晋闽 ; 孙国胜 ; 朱世荣 ; 曾一平 ; 孙殿照 ; 王雷 | |
2001-12-19 | |
专利类型 | 发明 |
英文摘要 | Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-06-04T08:36:34Z No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5); Made available in DSpace on 2009-06-04T08:36:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5) Previous issue date: 2008-08; Made available in DSpace on 2009-06-11T08:57:37Z (GMT). No. of bitstreams: 1 full/00109107.pdf: 897289 bytes, checksum: dfdf6ee2ba57fb7be7c8a49e5c578a6c (MD5) Previous issue date: |
公开日期 | 2009-06-04 ; 2009-06-11 ; 2010-10-15 |
申请日期 | 2000-06-07 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | CN00109107.7 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3047] |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李晋闽,孙国胜,朱世荣,等. 一种高温碳化硅半导体材料制造装置. 2001-12-19. |
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