一种高温碳化硅半导体材料制造装置
李晋闽 ; 孙国胜 ; 朱世荣 ; 曾一平 ; 孙殿照 ; 王雷
2001-12-19
专利类型发明
英文摘要Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-06-04T08:36:34Z No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5); Made available in DSpace on 2009-06-04T08:36:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5) Previous issue date: 2008-08; Made available in DSpace on 2009-06-11T08:57:37Z (GMT). No. of bitstreams: 1 full/00109107.pdf: 897289 bytes, checksum: dfdf6ee2ba57fb7be7c8a49e5c578a6c (MD5) Previous issue date:
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11 ; 2010-10-15
申请日期2000-06-07
语种中文
专利申请号CN00109107.7
内容类型专利
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3047]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
李晋闽,孙国胜,朱世荣,等. 一种高温碳化硅半导体材料制造装置. 2001-12-19.
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