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| 一种铟镓砷短波红外探测器 专利 专利号: 201610407146.7, 申请日期: 2016-06-12, 公开日期: 2017-05-03 作者: 1 李平 2 李淘 3 李雪 4 邵秀梅 5 唐恒敬 6 龚海梅 收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2017/12/12 |
| 含有超晶格电子势垒的In0.83Ga0.17 As探测器暗电流仿真和验证 期刊论文 红外与毫米波学报, 2016, 卷号: 35, 页码: 662-666 作者: 李庆法[1]; 李雪[2]; 唐恒敬[3]; 邓双燕[4]; 曹高奇[5] 收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2019/04/26
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| Impact of etching on the surface leakage generation in mesa-type InGaAs/InAlAs avalanche photodetectors 期刊论文 OPTICS EXPRESS, 2016, 卷号: 24, 期号: 7, 页码: 7823-7834 作者: Ma, Yingjie; Zhang, Yonggang; Gu, Yi; Chen, Xingyou; Shi, Yanhui 收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2019/12/16 |
| 一种低损伤的铟镓砷探测器p+n结制备方法 专利 专利号: 201510296103.1, 申请日期: 2015-06-02, 公开日期: 2017-03-22 作者: 1曹高奇 2 唐恒敬 3 程吉凤 4石 铭5王 瑞6邵秀梅7李庆法 8 李 雪 9 龚海梅 收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2017/12/12 |
| 一种平面型子像元结构铟镓砷红外探测器芯片 专利 专利类型: 发明, 专利号: 201210019745.3, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2015-01-06 1 邓洪海 2 唐恒敬 3 李 淘 4 李雪 5 魏鹏 6 朱耀明 7 王云姬 8 杨波 9 龚海梅 收藏  |  浏览/下载:24/0  |  提交时间:2015/01/06 |
| ICP刻蚀InGaAs的微观损伤机制研究 期刊论文 红外与激光工程, 2013, 卷号: 42, 期号: 8 作者: 程吉凤; 朱耀明; 唐恒敬; 李雪; 邵秀梅 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2014/11/05
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| 一种台面型铟镓砷探测器制备方法 专利 专利号: 201110317200.6, 申请日期: 2013-01-01, 公开日期: 2013-12-20 作者: 1朱耀明 2李 雪3龚海梅 4唐恒敬 5李 淘 6魏 鹏 7王云姬8邓洪海 9刘诗嘉10 张在实 11汤亦聃 12 乔 辉 收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2013/12/20 |
| 一种应用于线列红外焦平面探测器的高稳定性倒焊基板 专利 专利号: 201110174762.X, 申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2013-01-14 作者: 1李雪 2邵秀梅 3唐恒敬 4魏鹏 5龚海梅 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2013/01/14 |
| 一种集成滤光微结构的InGaAs线列或面阵探测器 专利 专利号: 200910197301.7, 申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2013-01-14 作者: 1 李雪 2唐恒敬3方家熊4龚海梅 5段微波 6刘定权7张永刚 收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2013/01/14 |
| 基于N-on-P结构的背照射延伸波长640×1线列InGaAs探测器 期刊论文 红外与毫米波学报, 2012, 期号: 1, 页码: 11-14+90 朱耀明; 李永富; 李雪; 唐恒敬; 邵秀梅; 陈郁; 邓洪海; 魏鹏; 张永刚; 龚海梅 收藏  |  浏览/下载:21/0  |  提交时间:2013/02/22
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