基于N-on-P结构的背照射延伸波长640×1线列InGaAs探测器

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	基于N-on-P结构的背照射延伸波长640×1线列InGaAs探测器
	朱耀明 ; 李永富 ; 李雪 ; 唐恒敬 ; 邵秀梅 ; 陈郁 ; 邓洪海 ; 魏鹏 ; 张永刚 ; 龚海梅
刊名	红外与毫米波学报
	2012
期号	1 页码:11-14+90
关键词	ICP刻蚀 N-on-P结构线列探测器光电性能
ISSN号	1001-9014
中文摘要	在N-on-P型In0.78Al0.22As/In0.78Ga0.22As外延材料上,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制备了背照射640×1线列InGaAs探测器芯片,研究了探测器光电性能.结果表明,室温下单元器件响应截止波长和峰值波长分别为2.36μm和1.92μm,平均优值因子(R0A)为16.0Ω.cm2,峰值量子效率达到了37.5%;在1 ms积分时间下焦平面探测器平均峰值探测率达到了2.01×1011 cmHz1/2/W,响应非均匀性为8.77%,盲元率约为0.6%.
收录类别	CNKI2012-003
语种	中文
公开日期	2013-02-22
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/111006]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	朱耀明,李永富,李雪,等. 基于N-on-P结构的背照射延伸波长640×1线列InGaAs探测器[J]. 红外与毫米波学报,2012(1):11-14+90.
APA	朱耀明.,李永富.,李雪.,唐恒敬.,邵秀梅.,...&龚海梅.(2012).基于N-on-P结构的背照射延伸波长640×1线列InGaAs探测器.红外与毫米波学报(1),11-14+90.
MLA	朱耀明,et al."基于N-on-P结构的背照射延伸波长640×1线列InGaAs探测器".红外与毫米波学报 .1(2012):11-14+90.