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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2009 [1]
2002 [1]
2001 [1]
2000 [1]
1998 [1]
学科主题
半导体物理 [5]
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学科主题:半导体物理
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GaAs Based InAs/GaSb Superlattice Short Wavelength Infrared Detectors Grown by Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: art. no. 028102
作者:
Tang B
;
Wang GW
;
Xu YQ
收藏
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浏览/下载:159/45
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提交时间:2010/03/08
INAS/GA1-XINXSB SUPERLATTICE
GASB
HETEROJUNCTIONS
PHOTODIODES
SEGREGATION
LAYERS
INAS
ALSB
Interface-related in-plane optical anisotropy in GaAs/AlxGa1-xAs single-quantum-well structures studied by reflectance difference spectroscopy
期刊论文
physical review b, 2002, 卷号: 66, 期号: 19, 页码: art.no.195321
作者:
Ye XL
收藏
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浏览/下载:64/0
  |  
提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
EXCITON LOCALIZATION
INVERSION ASYMMETRY
COMMON-ATOM
LIGHT-HOLE
HETEROSTRUCTURES
SUPERLATTICES
POLARIZATION
SEGREGATION
MORPHOLOGY
Comparison of field effect transistor characteristics between space-grown and earth-grown gallium arsenide single crystal substrates
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 4, 页码: 478-479
Chen NF
;
Zhong XR
;
Lin LY
;
Zhang M
;
Wang YS
;
Bai XW
;
Zhao J
收藏
  |  
浏览/下载:41/0
  |  
提交时间:2010/08/12
FLOATING-ZONE GROWTH
ZERO GRAVITY
MICROGRAVITY
STOICHIOMETRY
SEGREGATION
SILICON
GE
Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
physica e, 2000, 卷号: 8, 期号: 2, 页码: 134-140
作者:
Ye XL
;
Xu B
收藏
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
high index
molecular beam epitaxy
photoluminescence
SURFACE SEGREGATION
ORIENTED GAAS
INGAAS
ISLANDS
WELLS
DISKS
Relationship between deep-level centers and stoichiometry in semi-insulating gallium arsenide
期刊论文
journal of applied physics, 1998, 卷号: 84, 期号: 10, 页码: 5826-5827
Lin LY
;
Chen NF
;
Zhong XR
;
He HJ
;
Li CJ
收藏
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浏览/下载:36/0
  |  
提交时间:2010/08/12
SEMIINSULATING GAAS
LEC-GAAS
DEFECTS
SEGREGATION
CARBON
BORON
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