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西安光学精密机械研... [20]
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专题:西安光学精密机械研究所
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The Characterization of Sputtered Zr-Ge-N Thin Films as Diffusion Barriers Between Copper and Silicon
期刊论文
rare metal materials and engineering, 2012, 卷号: 41, 期号: s1, 页码: 120-123
作者:
Yang, J. J.
;
Liu, B.
;
Liao, X. D.
;
Jiao, G. H.
;
Xu, K. W.
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提交时间:2012/09/07
Zr-Ge-N films
diffusion barrier
micro-structural
thermal stability
Single-waveguide integrated wavelength demux photodetector and method of making it
专利
专利号: US6731850, 申请日期: 2004-05-04, 公开日期: 2004-05-04
作者:
SARGENT, EDWARD H.
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/26
Semiconductor laser with disordered and non-disordered quantum well regions
专利
专利号: US6594295, 申请日期: 2003-07-15, 公开日期: 2003-07-15
作者:
SARGENT, EDWARD H.
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/26
Tapered air apertures for thermally robust vertical cavity laser structures
专利
专利号: US20020067748A1, 申请日期: 2002-06-06, 公开日期: 2002-06-06
作者:
COLDREN, LARRY A.
;
NAONE, RYAN L.
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/31
Buried heterostructure vertical-cavity surface-emitting laser diodes using impurity induced layer disordering (IILD) via a buried impurity source
专利
专利号: US6238944, 申请日期: 2001-05-29, 公开日期: 2001-05-29
作者:
FLOYD, PHILIP D.
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/26
A semiconductor material comprising two dopants
专利
专利号: GB2351390A, 申请日期: 2000-12-27, 公开日期: 2000-12-27
作者:
ALISTAIR, HENDERSON, KEAN
;
HARUHISA, TAKIGUCHI
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2020/01/18
Semiconductor laser including disordered window regions
专利
专利号: US5764669, 申请日期: 1998-06-09, 公开日期: 1998-06-09
作者:
NAGAI, YUTAKA
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/26
半導体レーザの製造方法
专利
专利号: JP2751356B2, 申请日期: 1998-02-27, 公开日期: 1998-05-18
作者:
井手 雄一
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2020/01/18
Integrated semiconductor laser producing light of different wavelengths at respective active regions
专利
专利号: US5124279, 申请日期: 1992-06-23, 公开日期: 1992-06-23
作者:
GOTO, KATSUHIKO
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/26
Method of producing multiple wavelength semiconductor laser
专利
专利号: JP1992137780A, 申请日期: 1992-05-12, 公开日期: 1992-05-12
作者:
NAGAI YUTAKA
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提交时间:2020/01/18
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