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科研机构
半导体研究所 [11]
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期刊论文 [10]
会议论文 [1]
发表日期
2008 [1]
2002 [3]
2001 [1]
2000 [2]
1999 [1]
1998 [1]
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学科主题
半导体物理 [11]
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学科主题:半导体物理
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Doped polycrystalline 3C-SiC films deposited by LPCVD for radio-frequency MEMS applications
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 2269-2272
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Ning, J
;
Liu, XF
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Structural properties of polycrystalline silicon films formed by pulsed rapid thermal processing
期刊论文
chinese physics, 2002, 卷号: 11, 期号: 5, 页码: 492-495
Wang YQ
;
Liao XB
;
Diao HW
;
Zhang SB
;
Xu YY
;
Chen CY
;
Chen WD
;
Kong GL
收藏
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浏览/下载:102/13
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提交时间:2010/08/12
polycrystalline silicon film
rapid thermal processing
microstructure
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
AMORPHOUS-SILICON
PRESSURE
TRANSISTORS
CRYSTALLIZATION
GROWTH
Interface-related in-plane optical anisotropy in GaAs/AlxGa1-xAs single-quantum-well structures studied by reflectance difference spectroscopy
期刊论文
physical review b, 2002, 卷号: 66, 期号: 19, 页码: art.no.195321
作者:
Ye XL
收藏
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浏览/下载:65/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
EXCITON LOCALIZATION
INVERSION ASYMMETRY
COMMON-ATOM
LIGHT-HOLE
HETEROSTRUCTURES
SUPERLATTICES
POLARIZATION
SEGREGATION
MORPHOLOGY
Getting high-efficiency photoluminescence from Si nanocrystals in SiO2 matrix
期刊论文
applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 22, 页码: 4174-4176
Wang YQ
;
Kong GL
;
Chen WD
;
Diao HW
;
Chen CY
;
Zhang SB
;
Liao XB
收藏
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2010/08/12
VISIBLE-LIGHT EMISSION
POROUS SILICON
QUANTUM CONFINEMENT
SUPERLATTICES
LUMINESCENCE
FABRICATION
RECRYSTALLIZATION
Comparison of field effect transistor characteristics between space-grown and earth-grown gallium arsenide single crystal substrates
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 4, 页码: 478-479
Chen NF
;
Zhong XR
;
Lin LY
;
Zhang M
;
Wang YS
;
Bai XW
;
Zhao J
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/08/12
FLOATING-ZONE GROWTH
ZERO GRAVITY
MICROGRAVITY
STOICHIOMETRY
SEGREGATION
SILICON
GE
Strain and photoluminescence characterization of cubic (In,Ga)N films grown on GaAs(001) substrates
期刊论文
journal of applied physics, 2000, 卷号: 87, 期号: 8, 页码: 3711-3714
Sun XL
;
Wang YT
;
Yang H
;
Zheng LX
;
Xu DP
;
Li JB
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/08/12
PHASE-SEPARATION
GAN
Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
physica e, 2000, 卷号: 8, 期号: 2, 页码: 134-140
作者:
Ye XL
;
Xu B
收藏
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
high index
molecular beam epitaxy
photoluminescence
SURFACE SEGREGATION
ORIENTED GAAS
INGAAS
ISLANDS
WELLS
DISKS
New insight into the origin of twin and grain boundary in InP
期刊论文
solid state communications, 1999, 卷号: 110, 期号: 7, 页码: 403-406
Han Y
;
Lin L
收藏
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/08/12
semiconductors
synchrotron radiation
LEC GROWTH
CZOCHRALSKI
SINGLE-CRYSTALS
Relationship between deep-level centers and stoichiometry in semi-insulating gallium arsenide
期刊论文
journal of applied physics, 1998, 卷号: 84, 期号: 10, 页码: 5826-5827
Lin LY
;
Chen NF
;
Zhong XR
;
He HJ
;
Li CJ
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/08/12
SEMIINSULATING GAAS
LEC-GAAS
DEFECTS
SEGREGATION
CARBON
BORON
The enhancement of diffusion by strain of InAs quantum dots in a GaAs matrix
期刊论文
physics of low-dimensional structures, 1997, 卷号: 12, 期号: 0, 页码: 219-225
Wang ZM
;
Feng SL
;
Lu ZD
;
Zhao Q
;
Yang XP
;
Chen ZG
;
Xu ZY
;
Zheng HZ
收藏
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/08/12
GROWTH
INTERDIFFUSION
ISLANDS
SCALE
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