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Semiconductor device for electro-optic applications, method for manufacturing said device and corresponding semiconductor laser device 专利
专利号: US6828598, 申请日期: 2004-12-07, 公开日期: 2004-12-07
作者:  COFFA, SALVATORE;  LIBERTINO, SEBANIA;  SAGGIO, MARIO;  FRISINA, FERRUCCIO
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Hybrid confinement layers of buried heterostructure semiconductor laser 专利
专利号: US6829275, 申请日期: 2004-12-07, 公开日期: 2004-12-07
作者:  PAKULSKI, GRZEGORZ J.;  KNIGHT, D. GORDON;  BLAAUW, CORNELIS
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Electrical properties and electroluminescence of 4h-sic p-n junction diodes 期刊论文
Journal of rare earths, 2004, 卷号: 22, 页码: 275-278
作者:  Sun, GS;  Zhang, YX;  Gao, X;  Wang, L;  Zhao, WS
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Semiconductor laser having improved high-frequency, large signal response at reduced operating current 专利
专利号: US20040213312A1, 申请日期: 2004-10-28, 公开日期: 2004-10-28
作者:  TAN, MICHAEL R.;  DOLFI, DAVID WAYNE;  LEARY, MICHAEL HOWARD
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Semiconductor laser 专利
专利号: US6807212, 申请日期: 2004-10-19, 公开日期: 2004-10-19
作者:  BETTIATI, MAURO;  STARCK, CHRISTOPHE;  LOVISA, STEPHANE
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III nitride compound semiconductor element an electrode forming method 专利
专利号: US6806571, 申请日期: 2004-10-19, 公开日期: 2004-10-19
作者:  SHIBATA, NAOKI;  UEMURA, TOSHIYA;  ASAI, MAKOTO;  KOIDE, YASUO;  MURAKAMI, MASANORI
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Group III nitride compound semiconductor laser 专利
专利号: US6801559, 申请日期: 2004-10-05, 公开日期: 2004-10-05
作者:  HATANO, TAKASHI;  IWAYAMA, SHO;  KOIKE, MASAYOSHI
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掺氮类金刚石薄膜的电化学C－V研究 期刊论文
2004
程翔; 陈朝; 徐富春; 刘铁林
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掺氮类金刚石薄膜的电化学C-V研究 期刊论文
2004
程翔; 陈朝; 徐富春; 刘铁林
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2011/04/26
Magneto - transport of electron symmetric and antisymmrtric states in highly doped ingaas/inalas single quantum well 期刊论文
Journal of infrared and millimeter waves, 2004, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 329-332
作者:  Qiu, ZJ;  Gui, YS;  Cui, LJ;  Zeng, YP;  Huang, ZM
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