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| 半導体レ-ザの製造方法 专利 专利号: JP1994097706B2, 申请日期: 1994-11-30, 公开日期: 1994-11-30 作者: 山口 昭夫
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| 半導体レーザーの製造方法 专利 专利号: JP1994082883B2, 申请日期: 1994-10-19, 公开日期: 1994-10-19 作者: 杉本 満則
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| 単一軸モード半導体レーザ 专利 专利号: JP1994073388B2, 申请日期: 1994-09-14, 公开日期: 1994-09-14 作者: 水戸 郁夫; 山口 昌幸
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| Sulfide-selenide manganese-zinc mixed crystal photo semiconductor and laser diode 专利 专利号: US5341001, 申请日期: 1994-08-23, 公开日期: 1994-08-23 作者: HAYASHI, SHIGEO; OKAWA, KAZUHIRO; MITSUYU, TSUNEO
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| 集積化分布帰還型半導体レ-ザ 专利 专利号: JP1994056904B2, 申请日期: 1994-07-27, 公开日期: 1994-07-27 作者: 北村 光弘
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| Very short wavelength semiconductor laser 专利 专利号: US5331656, 申请日期: 1994-07-19, 公开日期: 1994-07-19 作者: TANAKA, TOSHIAKI
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| Semiconductor laser of modulation doping quantum well structure with stopper against dopant dispersion and manufacturing method thereof 专利 专利号: US5319657, 申请日期: 1994-06-07, 公开日期: 1994-06-07 作者: OTSUKA, NOBUYUKI; KITO, MASAHIRO; ISHINO, MASATO; MATSUI, YASUSHI
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| ひ化ガリウムエピタキシヤルウエハ 专利 专利号: JP1994042574B2, 申请日期: 1994-06-01, 公开日期: 1994-06-01 作者: 小橋 康二; 藤田 尚徳; 矢島 文和
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| 光双安定集積素子 专利 专利号: JP1994038539B2, 申请日期: 1994-05-18, 公开日期: 1994-05-18 作者: 寺門 知二; 藤原 雅彦
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| 光集積回路素子の製造方法 专利 专利号: JP1994032329B2, 申请日期: 1994-04-27, 公开日期: 1994-04-27 作者: 浜田 健; 渋谷 隆夫; 和田 優; 清水 裕一; 伊藤 国雄
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