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半導体レ-ザの製造方法 专利
专利号: JP1994097706B2, 申请日期: 1994-11-30, 公开日期: 1994-11-30
作者:  山口 昭夫
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半導体レーザーの製造方法 专利
专利号: JP1994082883B2, 申请日期: 1994-10-19, 公开日期: 1994-10-19
作者:  杉本 満則
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単一軸モード半導体レーザ 专利
专利号: JP1994073388B2, 申请日期: 1994-09-14, 公开日期: 1994-09-14
作者:  水戸 郁夫;  山口 昌幸
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Sulfide-selenide manganese-zinc mixed crystal photo semiconductor and laser diode 专利
专利号: US5341001, 申请日期: 1994-08-23, 公开日期: 1994-08-23
作者:  HAYASHI, SHIGEO;  OKAWA, KAZUHIRO;  MITSUYU, TSUNEO
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集積化分布帰還型半導体レ-ザ 专利
专利号: JP1994056904B2, 申请日期: 1994-07-27, 公开日期: 1994-07-27
作者:  北村 光弘
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Very short wavelength semiconductor laser 专利
专利号: US5331656, 申请日期: 1994-07-19, 公开日期: 1994-07-19
作者:  TANAKA, TOSHIAKI
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Semiconductor laser of modulation doping quantum well structure with stopper against dopant dispersion and manufacturing method thereof 专利
专利号: US5319657, 申请日期: 1994-06-07, 公开日期: 1994-06-07
作者:  OTSUKA, NOBUYUKI;  KITO, MASAHIRO;  ISHINO, MASATO;  MATSUI, YASUSHI
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ひ化ガリウムエピタキシヤルウエハ 专利
专利号: JP1994042574B2, 申请日期: 1994-06-01, 公开日期: 1994-06-01
作者:  小橋 康二;  藤田 尚徳;  矢島 文和
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光双安定集積素子 专利
专利号: JP1994038539B2, 申请日期: 1994-05-18, 公开日期: 1994-05-18
作者:  寺門 知二;  藤原 雅彦
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光集積回路素子の製造方法 专利
专利号: JP1994032329B2, 申请日期: 1994-04-27, 公开日期: 1994-04-27
作者:  浜田 健;  渋谷 隆夫;  和田 優;  清水 裕一;  伊藤 国雄
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