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科研机构
北京大学 [6]
内容类型
期刊论文 [5]
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2003 [2]
2000 [1]
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超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制
期刊论文
物理学报, 2005
王彦刚
;
许铭真
;
谭长华
;
段小蓉
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/11/12
软击穿 栅电流 类Fowler-Nordheim隧穿 超薄栅氧化层
soft breakdown
gate current
Fowler
Nordheim-like tunneling
ultra-thin gate oxide
The conduction mechanism of stress induced leakage current through ultra-thin gate oxide under constant voltage stresses
期刊论文
中国物理英文版, 2005
Wang, YG
;
Xu, MZ
;
Tan, CH
;
Zhang, JF
;
Duan, XR
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/16
stress induced leakage current
oxygen-related donor-like defects
trap-assisted tunnelling
ultra-thin gate oxide
CURRENT TRANSPORT MECHANISM
ASSISTED TUNNELING MODEL
SILICON DIOXIDE FILMS
DEGRADATION
INSULATORS
BEHAVIOR
FIELD
SIO2
The statistical analysis of substrate current to soft breakdown in ultra-thin gate oxide n-MOSFETs
其他
2004-01-01
Wang, YG
;
Shi, K
;
Jia, GS
;
Xu, MZ
;
Tan, CH
;
Duan, XR
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/13
substrate current
soft breakdown
ultra-thin gate oxide
Weibull distribution
variable frequency light pumping
LAYERS
超薄栅MOS器件热载流子应力下SILC的产生机制
期刊论文
半导体学报, 2003
杨国勇
;
霍宗亮
;
王金延
;
毛凌锋
;
王子欧
;
谭长华
;
许铭真
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浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/10/23
应力感应漏电流
热载流子应力
超薄栅氧化层
MOS器件
SILC
hot carrier stress
ultra-thin gate oxide
MOSFET
一种用于提取LDD结构n-MOSFET热载流子应力下界面陷阱产生的改进方法
期刊论文
半导体学报, 2003
杨国勇
;
毛凌锋
;
王金延
;
霍宗亮
;
王子欧
;
许铭真
;
谭长华
收藏
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浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2015/10/23
热载流子应力
LDD结构
超薄栅氧化层
两步退化机制
hot-carrier stress
LDD
ultra-thin gate oxide
two-step degradation
Stress-induced high-field gate leakage current in ultra-thin gate oxide
期刊论文
固体电子学, 2000
Wei, JL
;
Mao, LF
;
Xu, MZ
;
Tan, CH
;
Duan, XR
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提交时间:2015/11/10
SILC
ultra-thin gate oxide
proportioned difference operator
SIO2-FILMS
MECHANISM
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