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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制 期刊论文 物理学报, 2005 王彦刚; 许铭真; 谭长华; 段小蓉 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/12 软击穿 栅电流 类Fowler-Nordheim隧穿 超薄栅氧化层  soft breakdown  gate current  Fowler  Nordheim-like tunneling  ultra-thin gate oxide   The conduction mechanism of stress induced leakage current through ultra-thin gate oxide under constant voltage stresses 期刊论文 中国物理英文版, 2005 Wang, YG; Xu, MZ; Tan, CH; Zhang, JF; Duan, XR 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/16 stress induced leakage current  oxygen-related donor-like defects  trap-assisted tunnelling  ultra-thin gate oxide  CURRENT TRANSPORT MECHANISM  ASSISTED TUNNELING MODEL  SILICON DIOXIDE FILMS  DEGRADATION  INSULATORS  BEHAVIOR  FIELD  SIO2   The statistical analysis of substrate current to soft breakdown in ultra-thin gate oxide n-MOSFETs 其他 2004-01-01 Wang, YG; Shi, K; Jia, GS; Xu, MZ; Tan, CH; Duan, XR 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 substrate current  soft breakdown  ultra-thin gate oxide  Weibull distribution  variable frequency light pumping  LAYERS   超薄栅MOS器件热载流子应力下SILC的产生机制 期刊论文 半导体学报, 2003 杨国勇; 霍宗亮; 王金延; 毛凌锋; 王子欧; 谭长华; 许铭真 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/10/23 应力感应漏电流  热载流子应力  超薄栅氧化层  MOS器件  SILC  hot carrier stress  ultra-thin gate oxide  MOSFET   一种用于提取LDD结构n-MOSFET热载流子应力下界面陷阱产生的改进方法 期刊论文 半导体学报, 2003 杨国勇; 毛凌锋; 王金延; 霍宗亮; 王子欧; 许铭真; 谭长华 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/10/23 热载流子应力  LDD结构  超薄栅氧化层  两步退化机制  hot-carrier stress  LDD  ultra-thin gate oxide  two-step degradation   Stress-induced high-field gate leakage current in ultra-thin gate oxide 期刊论文 固体电子学, 2000 Wei, JL; Mao, LF; Xu, MZ; Tan, CH; Duan, XR 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/10 SILC  ultra-thin gate oxide  proportioned difference operator  SIO2-FILMS  MECHANISM