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Novel self-compliance Bipolar 1D1R memory device for high-density RRAM application
会议论文
2013 5th IEEE International Memory Workshop, IMW 2013, Monterey, CA, United states, May 26, 2013 - May 29, 2013
作者:
Li, Y.T.
;
Long, S.B.
;
Lv, H.B.
;
Liu, Q.
;
Wang, M.
收藏
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提交时间:2017/01/20
Random access storage
Schottky barrier diodes
Switching systems
1D1R
Combined tio
Non-volatile memory application
Resistive switching
Reverse bias
RRAM
Schottky diodes
TiO
Resistive switching characteristics of Ni/HfO2/Pt ReRAM
期刊论文
Journal of Semiconductors, 2012, 卷号: 33, 期号: [db:dc_citation_issue]
作者:
Zhang, Xiao
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/10
Conducting filament
Conductive filaments
Forming process
Good data
HfO2
Memory performance
Non-volatile memory application
On/off ratio
Programmable metallization cells
Resistive random access memory
Resistive switching
Switching parameters
Bistable resistance switching of Cu/Cu:HfO2/Pt for nonvolatile memory application
会议论文
2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Shanghai, China, November 1, 2010 - November 4, 2010
作者:
Wang, Yan
;
Long, Shi-Bing
;
Lv, Hang-Bing
;
Liu, Qi
;
Wang, Qin
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2017/01/20
Switching
Doping (additives)
Hafnium
Hafnium oxides
Integrated circuits
Oxides
Platinum
Random access storage
Switching systems
Bistable resistance
Cu-doping
DC electrical
Fast operation
Metallic filaments
Non-volatile memories
Non-volatile memory application
Resistance switching
Resistive random access memory
Resistive switching
Stable state
Temperature test
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