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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 Breakdown enhancement of diamond Schottky barrier diodes using boron implanted edge terminations 期刊论文 DIAMOND AND RELATED MATERIALS, 2019, 卷号: 92, 页码: 146-149 作者:  Yu, Xinxin;  Zhou, Jianjun;  Wang, Yanfeng;  Qiu, Feng;  Kong, Yuechan 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/11/19 Diamond  Boron implant  Schottky diode  Edge termination   High-Voltage -Ga2O3 Schottky Diode with Argon-Implanted Edge Termination 期刊论文 NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2019, 卷号: Vol.14 作者:  Gao, Yangyang;  Li, Ang;  Feng, Qian;  Hu, Zhuangzhuang;  Feng, Zhaoqing 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/17 Ga2O3 Schottky diode  Argon implantation  Edge termination   High-Voltage β-Ga 2 O 3 Schottky Diode with Argon-Implanted Edge Termination 期刊论文 Nanoscale Research Letters, 2019, 卷号: 14 作者:  Gao Y.;  Li A.;  Feng Q.;  Hu Z.;  Feng Z. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/11 Argon implantation  Edge termination  β-Ga 2 O 3 Schottky diode   High-Voltage -Ga2O3 Schottky Diode with Argon-Implanted Edge Termination 期刊论文 NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2019, 卷号: 14 作者:  Gao, Yangyang;  Li, Ang;  Feng, Qian;  Hu, Zhuangzhuang;  Feng, Zhaoqing 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/11 -Ga2O3 Schottky diode  Argon implantation  Edge termination   High-Voltage β-GaO Schottky Diode with Argon-Implanted Edge Termination 期刊论文 Nanoscale Research Letters, 2019, 卷号: Vol.14 No.1 作者:  Yangyang Gao;  Ang Li;  Qian Feng;  Zhuangzhuang Hu;  Zhaoqing Feng 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/13 β-Ga2O3  Schottky  diode  Argon  implantation  Edge  termination   A new termination structure with FLR and trench for 3.3kV SiC PiN diode 会议论文 2018 1ST WORKSHOP ON WIDE BANDGAP POWER DEVICES AND APPLICATIONS IN ASIA (WIPDA ASIA), 2018-01-01 作者:  Wang, Cailin;  Han, Rui;  Zhang, Lei 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/20 4H-SiC  power diode  edge termination  trench  field limit ring (FLR)   A new compact edge termination for 4.5-kV silicon power devices 期刊论文 2017 6th International Conference on Renewable Energy Research and Applications, ICRERA 2017, 2017, 卷号: 2017-January, 页码: 962-966 作者:  Cui, Lei;  Jin, Rui;  Wen, Jialiang;  Wu, Yu;  Hu, Dongqing 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/12 All-cover field plate  Edge termination  Electric field peaks  Fixed oxide charge  High-voltage devices  N-p double ring