×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
山东大学 [9]
半导体研究所 [8]
厦门大学 [1]
北京大学 [1]
内容类型
期刊论文 [18]
会议论文 [1]
发表日期
2013 [3]
2012 [4]
2011 [3]
2010 [2]
2009 [4]
2008 [1]
更多...
学科主题
半导体材料 [6]
半导体物理 [2]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共19条,第1-10条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
发表日期升序
发表日期降序
作者升序
作者降序
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
Influence of drain bias on the electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 6
作者:
Lu Yuan-Jie
;
Feng Zhi-Hong
;
Cai Shu-Jun
;
Dun Shao-Bo
;
Liu Bo
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2019/12/23
AlGaN/GaN heterostructures
electron mobility
drain bias
electron
scattering
Influence of drain bias on the electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
Chinese Physics B, 2013, 期号: 06, 页码: 522-525
作者:
Lv YJ(吕元杰)
;
Feng ZH(冯志红)
;
Cai SJ(蔡树军)
;
Dun SB(敦少博)
;
Liu B(刘波)
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2019/12/23
AlGaN/GaN heterostructures
electron mobility
drain bias
electron scattering
Influence of drain bias on the electron mobility in AIGaN/AIN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
中国物理B:英文版, 2013, 期号: 06, 页码: 518-521
作者:
吕元杰[1,2]
;
冯志红[1]
;
蔡树军[1]
;
敦少博[1]
;
刘波[1]
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/12/23
AlGaN/GaN heterostructures, electron mobility, drain bias, electron scattering
Determination of the series resistance under the Schottky contacts of AlGaN/AlN/GaN Schottky barrier diodes
期刊论文
Chinese Physics B, 2012, 期号: 01, 页码: 414-418
作者:
Cao ZF(曹芝芳)
;
Lin ZJ(林兆军)
;
Lv YJ(吕元杰)
;
Luan CB(栾崇彪)
;
Yu YX(于英霞)
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2019/12/23
AlGaN/AlN/GaN heterostructures,Schottky barrier diodes,power consumption,series resistance
Determination of the series resistance under the Schottky contacts of AlGaN/AlN/GaN Schottky barrier diodes
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2012, 卷号: 21, 期号: 1
作者:
Cao Zhi-Fang
;
Lin Zhao-Jun
;
Lu Yuan-Jie
;
Luan Chong-Biao
;
Yu Ying-Xia
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2019/12/23
AlGaN/AlN/GaN heterostructures
Schottky barrier diodes
power
consumption
series resistance
A simple method of extracting the polarization charge density in the AlGaN/GaN heterostructure from current-voltage and capacitance-voltage characteristics
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2012, 卷号: 21, 期号: 9
作者:
Lu Yuan-Jie
;
Lin Zhao-Jun
;
Yu Ying-Xia
;
Meng Ling-Guo
;
Cao Zhi-Fang
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/23
AlGaN/GaN heterostructures
flat-band voltage
polarization charge
density
Influence of the ratio of gate length to drain-to-source distance on the electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2012, 卷号: 7
作者:
Lv, Yuanjie
;
Lin, Zhaojun
;
Meng, Lingguo
;
Luan, Chongbiao
;
Cao, Zhifang
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2019/12/23
electron mobility
drain-to-source distance
AlGaN/GaN heterostructures
polarization Coulomb field scattering
Influence of thermal stress on the characteristic parameters of AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: article no.47105
Lu YJ
;
Lin ZJ
;
Zhang Y
;
Meng LG
;
Cao ZF
;
Luan CB
;
Chen H
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:58/2
  |  
提交时间:2011/07/05
AlGaN/GaN heterostructures
thermal stressing
polarization
self-consistently solving Schrodinger's and Poisson's equations
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
POLARIZATION
STABILITY
CHARGE
GAN
Improvement of efficiency of GaN-based polarization-doped light-emitting diodes grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 24, 页码: 241111
Zhang, L
;
Wei, XC
;
Liu, NX
;
Lu, HX
;
Zeng, JP
;
Wang, JX
;
Zeng, YP
;
Li, JM
收藏
  |  
浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2012/02/06
ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
TRANSPORT-PROPERTIES
The influence of the 1st AlN and the 2nd GaN layers on properties of AlGaN/2nd AlN/2nd GaN/1st AlN/1st GaN structure
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 1211-1216
作者:
Bi Y
;
Lin DF
;
Peng EC
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2011/09/14
2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS
ALGAN/GAN/INGAN/GAN DH-HEMTS
MILLIMETER-WAVE APPLICATIONS
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
HETEROJUNCTION FETS
HETEROSTRUCTURES
PASSIVATION
CONFINEMENT
PERFORMANCE
BARRIERS
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace