CORC

在结果中检索

CORC

浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Influence of drain bias on the electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 6
作者:  Lu Yuan-Jie;  Feng Zhi-Hong;  Cai Shu-Jun;  Dun Shao-Bo;  Liu Bo
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/23
Influence of drain bias on the electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
Chinese Physics B, 2013, 期号: 06, 页码: 522-525
作者:  Lv YJ(吕元杰);  Feng ZH(冯志红);  Cai SJ(蔡树军);  Dun SB(敦少博);  Liu B(刘波)
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/23
Influence of drain bias on the electron mobility in AIGaN/AIN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
中国物理B：英文版, 2013, 期号: 06, 页码: 518-521
作者:  吕元杰[1,2];  冯志红[1];  蔡树军[1];  敦少博[1];  刘波[1]
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/23
Determination of the series resistance under the Schottky contacts of AlGaN/AlN/GaN Schottky barrier diodes 期刊论文
Chinese Physics B, 2012, 期号: 01, 页码: 414-418
作者:  Cao ZF(曹芝芳);  Lin ZJ(林兆军);  Lv YJ(吕元杰);  Luan CB(栾崇彪);  Yu YX(于英霞)
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/23
Determination of the series resistance under the Schottky contacts of AlGaN/AlN/GaN Schottky barrier diodes 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2012, 卷号: 21, 期号: 1
作者:  Cao Zhi-Fang;  Lin Zhao-Jun;  Lu Yuan-Jie;  Luan Chong-Biao;  Yu Ying-Xia
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/23
A simple method of extracting the polarization charge density in the AlGaN/GaN heterostructure from current-voltage and capacitance-voltage characteristics 期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2012, 卷号: 21, 期号: 9
作者:  Lu Yuan-Jie;  Lin Zhao-Jun;  Yu Ying-Xia;  Meng Ling-Guo;  Cao Zhi-Fang
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/23
Influence of the ratio of gate length to drain-to-source distance on the electron mobility in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors 期刊论文
NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2012, 卷号: 7
作者:  Lv, Yuanjie;  Lin, Zhaojun;  Meng, Lingguo;  Luan, Chongbiao;  Cao, Zhifang
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/23
Influence of thermal stress on the characteristic parameters of AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts 期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: article no.47105
Lu YJ; Lin ZJ; Zhang Y; Meng LG; Cao ZF; Luan CB; Chen H; Wang ZG
收藏  |  浏览/下载：58/2  |  提交时间：2011/07/05
Improvement of efficiency of GaN-based polarization-doped light-emitting diodes grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 24, 页码: 241111
Zhang, L; Wei, XC; Liu, NX; Lu, HX; Zeng, JP; Wang, JX; Zeng, YP; Li, JM
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/02/06
The influence of the 1st AlN and the 2nd GaN layers on properties of AlGaN/2nd AlN/2nd GaN/1st AlN/1st GaN structure 期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 1211-1216
作者:  Bi Y;  Lin DF;  Peng EC
收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2011/09/14

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace