Influence of drain bias on the electron mobility in AIGaN/AIN/GaN heterostructure field-effect transistors | |
吕元杰[1,2]; 冯志红[1]; 蔡树军[1]; 敦少博[1]; 刘波[1]; 尹甲运[1]; 张雄文[1]; 房玉龙[1]; 林兆军[2]; 孟令国[2] | |
刊名 | 中国物理B:英文版 |
2013 | |
期号 | 06页码:518-521 |
关键词 | AlGaN/GaN heterostructures, electron mobility, drain bias, electron scattering |
URL标识 | 查看原文 |
内容类型 | 期刊论文 |
URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/5149231 |
专题 | 山东大学 |
作者单位 | Science and Technology on Application Specific Integrated Circuit Laboratory, Hebei Semiconduc |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 吕元杰[1,2],冯志红[1],蔡树军[1],et al. Influence of drain bias on the electron mobility in AIGaN/AIN/GaN heterostructure field-effect transistors[J]. 中国物理B:英文版,2013(06):518-521. |
APA | 吕元杰[1,2].,冯志红[1].,蔡树军[1].,敦少博[1].,刘波[1].,...&栾崇彪[2].(2013).Influence of drain bias on the electron mobility in AIGaN/AIN/GaN heterostructure field-effect transistors.中国物理B:英文版(06),518-521. |
MLA | 吕元杰[1,2],et al."Influence of drain bias on the electron mobility in AIGaN/AIN/GaN heterostructure field-effect transistors".中国物理B:英文版 .06(2013):518-521. |
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