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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序作者升序作者降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序 超薄栅MOS器件退化过程中的缺陷势垒 其他 2011-01-01 许铭真; 贾高升; 谭长华 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/12 金属-氧化物-半导体场效应管 超薄栅器件 退化效应 缺陷势垒   带有阶梯缓变集电区的InP/InGaAs/InP DHBT材料研究 期刊论文 固体电子学研究与进展, 2008, 期号: 01 艾立鹍; 徐安怀; 孙浩; 朱福英; 齐鸣 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2012/01/06 电荷泵  超薄栅氧化  CMOS  HLMF  ABTP   超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制 期刊论文 物理学报, 2005 王彦刚; 许铭真; 谭长华; 段小蓉 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/12 软击穿 栅电流 类Fowler-Nordheim隧穿 超薄栅氧化层  soft breakdown  gate current  Fowler  Nordheim-like tunneling  ultra-thin gate oxide