带有阶梯缓变集电区的InP/InGaAs/InP DHBT材料研究

	带有阶梯缓变集电区的InP/InGaAs/InP DHBT材料研究
	艾立鹍 ; 徐安怀 ; 孙浩 ; 朱福英 ; 齐鸣
刊名	固体电子学研究与进展
	2008
期号	01
关键词	电荷泵超薄栅氧化 CMOS HLMF ABTP
ISSN号	1000-3819
中文摘要	设计并生长了一种新的InP/InGaAs/InP DHBT结构材料,采用在基区和集电区之间插入两层不同禁带宽度的InGaAsP四元系材料的阶梯缓变集电结结构,以解决InP/InGaAs/InP DHBT集电结导带尖峰的电子阻挡效应问题。采用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过优化生长条件,获得了高质量的InP、InGaAs以及与InP晶格相匹配的不同禁带宽度的InGaAsP外延材料。在此基础上,成功地生长出带有阶梯缓变集电区结构的InP基DHBT结构材料。
语种	中文
公开日期	2012-01-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/51572]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	艾立鹍,徐安怀,孙浩,等. 带有阶梯缓变集电区的InP/InGaAs/InP DHBT材料研究[J]. 固体电子学研究与进展,2008(01).
APA	艾立鹍,徐安怀,孙浩,朱福英,&齐鸣.(2008).带有阶梯缓变集电区的InP/InGaAs/InP DHBT材料研究.固体电子学研究与进展(01).
MLA	艾立鹍,et al."带有阶梯缓变集电区的InP/InGaAs/InP DHBT材料研究".固体电子学研究与进展 .01(2008).