| 超薄栅MOS器件退化过程中的缺陷势垒 | |
| 许铭真 ; 贾高升 ; 谭长华 | |
| 2011 | |
| 关键词 | 金属-氧化物-半导体场效应管 超薄栅器件 退化效应 缺陷势垒 |
| 英文摘要 | 用统计实验研究了从SILC到SBD、HBD几个典型的退化阶段中缺陷的势垒高度和缺陷电流的变化。从SILC到SBD、HBD都是由同一种缺陷引起的缺陷带导电所致，它们的缺陷势垒高度和缺陷电流的差别仅仅是击穿通道中的缺陷密度不同。随着缺陷密度增大，缺陷的势垒高度逐渐下降。; 0 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 其他 |
| 源URL | [http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/275580]  |
| 专题 | 信息科学技术学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 许铭真,贾高升,谭长华. 超薄栅MOS器件退化过程中的缺陷势垒. 2011-01-01. |
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