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| InAs/GaSb Ⅱ类超晶格台面的ICP刻蚀研究 期刊论文
红外与毫米波学报, 2019, 卷号: 38, 期号: 2, 页码: 171-174
作者: 许佳佳; 黄敏; 徐庆庆; 徐志成; 王芳芳
  收藏 | 浏览/下载：30/0 | 提交时间：2019/11/13
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| 4H-SiC单晶衬底的ICP刻蚀工艺研究 学位论文
2018
作者: 朱帅帅
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2019/11/26
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| 一种基于TSV和激光刻蚀辅助互连的改进型CIS封装 期刊论文
半导体技术, 2017, 卷号: 42, 页码: 636-640
作者: 梁得峰[1]; 盖蔚[2]; 徐高卫[3]; 罗乐[4]
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2019/04/24
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| ICP刻蚀GaN侧壁倾角以及刻蚀速率的控制 期刊论文
固体电子研究与进展, 2012, 卷号: 32, 期号: 3
作者: 黄伟 ; 蔡勇; 张宝顺
收藏 | 浏览/下载：24/0 | 提交时间：2013/01/22
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| Cl_2/H_2 ICP刻蚀优化及其在1.55μm DFB激光器制作中的应用 期刊论文
http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GDZJ200905006&dbname=CJFQ2009, 2012, 2012
江山; 董雷; 张瑞康; 罗勇; 谢世钟
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2017/06/15
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| Cl_2/H_2 ICP刻蚀优化及其在1.55μm DFB激光器制作中的应用 期刊论文
2010, 2010
江山; 董雷; 张瑞康; 罗勇; 谢世钟; JIANG Shan; DONG Lei; ZHANG Rui-kang; LUO Yong; XIE Shi-zhong
收藏 | 浏览/下载：3/0 |
| 平滑陡直的Si深槽刻蚀方法 期刊论文
半导体技术, 2009, 卷号: 34, 期号: 3, 页码: 4，214-216,220
作者: 张育胜
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2010/06/01
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| Cl_2/H_2 ICP刻蚀优化及其在1.55μm DFB激光器制作中的应用 期刊论文
光电子.激光, 2009, 期号: 05, 页码: 583-586
作者: 江山; 董雷; 张瑞康; 罗勇; 谢世钟
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/12/26
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| Cl_2/H_2刻蚀优化及其在1.55muDFB激光器制作中的应用 期刊论文
光电子·激光, 2009, 卷号: 20, 期号: 5, 页码: 583-586
作者: 江山; 董雷; 张瑞康; 罗勇; 谢世钟
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/12/26
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| 基于ICP的金属钛深刻蚀 期刊论文
纳米技术与精密工程, 2008
杨梅; 陈兢
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2015/11/11
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