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	Cl_2/H_2 ICP刻蚀优化及其在1.55μm DFB激光器制作中的应用
	江山 ; 董雷 ; 张瑞康 ; 罗勇 ; 谢世钟 ; JIANG Shan ; DONG Lei ; ZHANG Rui-kang ; LUO Yong ; XIE Shi-zhong
	2010-06-09 ; 2010-06-09
关键词	电感耦合等离子体(ICP)刻蚀 金属氧化物化学气相沉积(MOCVD) 分布反馈(DFB)激光器 可靠性 inductive coupled plasma(ICP) etching metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) distribution feedback(DFB) laser reliability TN248.4
其他题名	Processing parameters optimization of Cl_2/H_2 ICP etching and its used for the fabrication of 1.55 μm DFB laser
中文摘要	采用特别设计的InGaAsP/InP多量子阱结构(MQW),研究了Cl2/H2电感耦合等离子体(ICP)刻蚀损伤,优化了低损伤ICP刻蚀的关键工艺参数,得到了一种低损伤、形貌良好的Bragg光栅的制作方法。结合优化的InP材料金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延生长工艺,制作出1.55μm分布反馈(DFB)激光器,端面镀膜前其阈值电流和斜率效率分别为15mA和0.3mW/mA,边模抑制比大于45dB。寿命加速老化实验结果显示,该器件40℃的中值寿命超过2×106h,表明了本文ICP光栅刻蚀工艺的可靠性。; Using specially designed InGaAsP/InP multiple quantum well(MQW) structure,the damage effects of Cl2/H2 inductive coupled plasma(ICP) etching were investigated systematically,and the key processing parameters for low damage ICP etching have been optimized.An effective method for the fabrication of Bragg grating with low damage and high quality surface has been obtained.Combined with well optimized metal organic chemical vapour deposition(MOCVD) growth technique,a 1.55 μm DFB laser has been fabricated.Before endface optical coating,its threshold current,slope efficiency and side mode suppression ratio are 15 mA,0.3 mW/mA and 45 dB,respectively.The result of accelerated aging test shows that its median life at 40 ℃ is more that 2×106 h,which verifies the reliability of our ICP etching processing in Bragg grating fabrication.; 国家高技术研究发展计划资助项目(2006AA03Z427); 国家重点基础研究发展规划资助项目(2003CB314903)
语种	中文 ; 中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://hdl.handle.net/123456789/54586]
专题	清华大学
推荐引用方式 GB/T 7714	江山,董雷,张瑞康,等. Cl_2/H_2 ICP刻蚀优化及其在1.55μm DFB激光器制作中的应用[J],2010, 2010.
APA	江山.,董雷.,张瑞康.,罗勇.,谢世钟.,...&XIE Shi-zhong.(2010).Cl_2/H_2 ICP刻蚀优化及其在1.55μm DFB激光器制作中的应用..
MLA	江山,et al."Cl_2/H_2 ICP刻蚀优化及其在1.55μm DFB激光器制作中的应用".(2010).

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