Cl_2/H_2 ICP刻蚀优化及其在1.55μm DFB激光器制作中的应用

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	Cl_2/H_2 ICP刻蚀优化及其在1.55μm DFB激光器制作中的应用
	江山 ; 董雷 ; 张瑞康 ; 罗勇 ; 谢世钟
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GDZJ200905006&dbname=CJFQ2009
	2012-04-22 ; 2012-04-22
关键词	电感耦合等离子体(ICP)刻蚀金属氧化物化学气相沉积(MOCVD) 分布反馈(DFB)激光器可靠性
中文摘要	采用特别设计的InGaAsP/InP多量子阱结构(MQW),研究了Cl2/H2电感耦合等离子体(ICP)刻蚀损伤,优化了低损伤ICP刻蚀的关键工艺参数,得到了一种低损伤、形貌良好的Bragg光栅的制作方法。结合优化的InP材料金属有机物化学气相沉积(MOCVD)外延生长工艺,制作出1.55μm分布反馈(DFB)激光器,端面镀膜前其阈值电流和斜率效率分别为15mA和0.3mW/mA,边模抑制比大于45dB。寿命加速老化实验结果显示,该器件40℃的中值寿命超过2×106h,表明了本文ICP光栅刻蚀工艺的可靠性。
语种	中文
其他责任者	武汉光迅科技股份有限公司 ; 山东大学信息科学与工程学院 ; 清华大学电子工程系
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.calis.edu.cn/hdl/211310/3127]
专题	清华大学
推荐引用方式 GB/T 7714	江山,董雷,张瑞康,等. Cl_2/H_2 ICP刻蚀优化及其在1.55μm DFB激光器制作中的应用[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GDZJ200905006&dbname=CJFQ2009,2012, 2012.
APA	江山,董雷,张瑞康,罗勇,&谢世钟.(2012).Cl_2/H_2 ICP刻蚀优化及其在1.55μm DFB激光器制作中的应用.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GDZJ200905006&dbname=CJFQ2009.
MLA	江山,et al."Cl_2/H_2 ICP刻蚀优化及其在1.55μm DFB激光器制作中的应用".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GDZJ200905006&dbname=CJFQ2009 (2012).