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	一种基于TSV和激光刻蚀辅助互连的改进型CIS封装
	梁得峰[1]; 盖蔚[2]; 徐高卫[3]; 罗乐[4]
刊名	半导体技术
	2017
卷号	42页码:636-640
关键词	硅通孔(TSV) 低温电感耦合等离子体增强型化学气相淀积(ICPECVD) 激光刻蚀 电镀镍 圆片级封装
ISSN号	1003-353X
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2188069
专题	上海大学
作者单位	[1] 上海大学索朗光伏材料与器件R & D联合实验室, 上海 200000, 中国[2] 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 传感技术联合国家重点实验室, 上海 200000, 中国[3] 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 传感技术联合国家重点实验室, 上海 200000, 中国[4] 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 传感技术联合国家重点实验室, 上海 200000, 中国
推荐引用方式 GB/T 7714	梁得峰[1],盖蔚[2],徐高卫[3],等. 一种基于TSV和激光刻蚀辅助互连的改进型CIS封装[J]. 半导体技术,2017,42:636-640.
APA	梁得峰[1],盖蔚[2],徐高卫[3],&罗乐[4].(2017).一种基于TSV和激光刻蚀辅助互连的改进型CIS封装.半导体技术,42,636-640.
MLA	梁得峰[1],et al."一种基于TSV和激光刻蚀辅助互连的改进型CIS封装".半导体技术 42(2017):636-640.

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