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科研机构
半导体研究所 [10]
内容类型
期刊论文 [10]
发表日期
2009 [2]
2008 [2]
2007 [6]
学科主题
半导体器件 [2]
半导体物理 [2]
半导体材料 [1]
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Metamorphic InGaAs Quantum Well Laser Diodes at 1.5 mu on GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 014214
Wang HL
;
Wu DH
;
Wu BP
;
Ni HQ
;
Huang SS
;
Xiong YH
;
Wang PF
;
Han Q
;
Niu ZC
;
Tangring I
;
Wang SM
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浏览/下载:177/53
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提交时间:2010/03/08
THRESHOLD CURRENT-DENSITY
Metamorphic ingaas quantum well laser diodes at 1.5 mu on gaas grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
Chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 3
作者:
Wang Hai-Li
;
Wu Dong-Hai
;
Wu Bing-peng
;
Ni Hqiao-Qiao
;
Huang She-Song
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/05/12
Low threshold current density 1.3 mu m metamorphic ingaas/gaas quantum well laser diodes
期刊论文
Electronics letters, 2008, 卷号: 44, 期号: 7, 页码: 474-u6
作者:
Wu, D.
;
Wang, H.
;
Wu, B.
;
Ni, H.
;
Huang, S.
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/05/12
Low threshold current density 1.3 mu m metamorphic InGaAs/GaAs quantum well laser diodes
期刊论文
electronics letters, 2008, 卷号: 44, 期号: 7, 页码: 474-u6
Wu, D
;
Wang, H
;
Wu, B
;
Ni, H
;
Huang, S
;
Xiong, Y
;
Wang, P
;
Han, Q
;
Niu, Z
;
Tangring, I
;
Wang, SM
收藏
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浏览/下载:45/2
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提交时间:2010/03/08
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
1.3-MU-M
1.58 mu m ingaas quantum well laser on gaas
期刊论文
Applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 22, 页码: 3
作者:
Tangring, I.
;
Ni, H. Q.
;
Wu, B. P.
;
Wu, D. H.
;
Xiong, Y. H.
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Metamorphic growth of 1.25-1.29 mu m ingaas quantum well lasers on gaas by molecular beam epitaxy
期刊论文
Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 页码: 971-974
作者:
Tangring, I.
;
Wang, S. M.
;
Sadeghi, M.
;
Larsson, A.
;
Wang, X. D.
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Metamorphic growth
Molecular beam epitaxy
Semiconducting iii-v materials
Laser diodes
Metamorphic ingaas quantum wells for light emission at 1.3-1.6 mu m
期刊论文
Thin solid films, 2007, 卷号: 515, 期号: 10, 页码: 4348-4351
作者:
Wang, S. M.
;
Tangring, I.
;
Gu, Q. F.
;
Sadeghi, M.
;
Larsson, A.
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Metamorphic
Ingaas quantum well
Light emission
Metamorphic InGaAs quantum wells for light emission at 1.3-1.6 mu m
期刊论文
thin solid films, 2007, 卷号: 515, 期号: 10, 页码: 4348-4351
Wang SM
;
Tangring I
;
Gu QF
;
Sadeghi M
;
Larsson A
;
Wang XD
;
Ma CH
;
Buyanova IA
;
Chen WM
收藏
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浏览/下载:116/0
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提交时间:2010/03/29
metamorphic
1.58 mu m InGaAs quantum well laser on GaAs
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 22, 页码: art. no. 221101
Tangring, I
;
Ni, HQ
;
Wu, BP
;
Wu, DH
;
Xiong, YH
;
Huang, SS
;
Niu, ZC
;
Wang, SM
;
Lai, ZH
;
Larsson, A
收藏
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浏览/下载:61/1
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提交时间:2010/03/08
DOT LASERS
GROWTH
Metamorphic growth of 1.25-1.29 mu m InGaAs quantum well lasers on GaAs by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 期号: 0, 页码: 971-974
Tangring, I (Tangring, I.)
;
Wang, SM (Wang, S. M.)
;
Sadeghi, M (Sadeghi, M.)
;
Larsson, A (Larsson, A.)
;
Wang, XD (Wang, X. D.)
收藏
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2010/03/29
metamorphic growth
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