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| 半导体光学元件的制造方法 专利
专利号: CN101950924B, 申请日期: 2012-07-04, 公开日期: 2012-07-04
作者: 阿部真司; 川崎和重
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| 氮化物半导体装置的制造方法 专利
专利号: CN101752783B, 申请日期: 2012-03-14, 公开日期: 2012-03-14
作者: 阿部真司; 川崎和重
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| 半导体发光元件及其制造方法 专利
专利号: CN102148477A, 申请日期: 2011-08-10, 公开日期: 2011-08-10
作者: 冈贵郁; 阿部真司; 川崎和重; 佐久间仁
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| 半导体发光元件的制造方法及半导体发光元件 专利
专利号: CN101877456A, 申请日期: 2010-11-03, 公开日期: 2010-11-03
作者: 冈贵郁; 阿部真司; 川崎和重; 堀江淳一; 佐久间仁
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| 多波长半导体激光装置 专利
专利号: CN101867157A, 申请日期: 2010-10-20, 公开日期: 2010-10-20
作者: 阿部真司
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| 氮化物半导体装置及其制造方法 专利
专利号: CN101442184A, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 2009-05-27
作者: 盐泽胜臣; 金本恭三; 大石敏之; 黑川博志; 川崎和重
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| 半导体光学元件的制造方法 专利
专利号: CN101276993A, 申请日期: 2008-10-01, 公开日期: 2008-10-01
作者: 阿部真司; 川崎和重
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| 半导体光元件的制造方法 专利
专利号: CN101272037A, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2008-09-24
作者: 阿部真司
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| 半导体激光器的制造方法 专利
专利号: CN101262119A, 申请日期: 2008-09-10, 公开日期: 2008-09-10
作者: 中村仁志; 阿部真司; 西口晴美
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| 半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利号: JP2004207682A, 申请日期: 2004-07-22, 公开日期: 2004-07-22
作者: 竹見 政義; 小野 健一; 花巻 吉彦; 綿谷 力; 八木 哲哉
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