| 半导体光学元件的制造方法 | |
| 阿部真司; 川崎和重 | |
| 2012-07-04 | |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 专利号 | CN101950924B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体光学元件的制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体光学元件的制造方法。在波导路径脊的上表面稳定地防止半导体层和电极层的接触面积的减少，并防止该半导体层中的蚀刻损伤。在半导体层上层叠金属保护层(75)形成波导路径(40)，用SiO2膜(78)将其覆盖，涂敷抗蚀剂后，使波导路径脊(40)顶部的SiO2膜(78)的表面露出，并且借助于具有比波导路径脊(40)的金属保护层(75)表面高且比波导路径脊(40)的SiO2膜(78)的表面低的表面的抗蚀剂膜来埋设沟道(38)的SiO2膜(78)，形成抗蚀剂图形(82)，将抗蚀剂图形(82)作为掩膜，利用干蚀刻去除SiO2膜(78)，进而，利用湿蚀刻去除金属保护层(75)，使波导路径脊(40)的p-GaN层(74)表面露出，来形成电极层(46)。 |
| 公开日期 | 2012-07-04 |
| 申请日期 | 2007-10-15 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48159]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阿部真司,川崎和重. 半导体光学元件的制造方法. CN101950924B. 2012-07-04. |
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