| 半导体发光元件及其制造方法 | |
| 冈贵郁; 阿部真司; 川崎和重; 佐久间仁 | |
| 2011-08-10 | |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 专利号 | CN102148477A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体发光元件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及半导体发光元件及其制造方法。在n型GaN衬底（10）上形成有半导体层叠结构（12）。在半导体层叠结构（12）的上部形成有脊部（26）。沟道部（28）与脊部（26）相邻。平台部（30）与沟道部（28）的脊部（26）的相反侧相邻。第一绝缘膜（32）覆盖沟道部（28）。第一绝缘膜（32）在脊部（26）以及平台部（30）上具有开口。在第一绝缘膜（32）上形成有单层粘接层（34）。Pd电极（36）覆盖脊部（26）以及单层粘接层（34）的一部分，并且与脊部（26）的p型GaN接触层（24）连接。第二绝缘膜（38）覆盖单层粘接层（34）的未被Pd电极（36）覆盖的部分以及平台部（30）。 |
| 公开日期 | 2011-08-10 |
| 申请日期 | 2011-02-01 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90163]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冈贵郁,阿部真司,川崎和重,等. 半导体发光元件及其制造方法. CN102148477A. 2011-08-10. |
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