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内容类型
期刊论文 [33]
发表日期
2017 [7]
2016 [2]
2015 [4]
2007 [2]
1996 [6]
1995 [10]
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The kinetics and mechanism of alpha-glucosidase inhibition by F5-SP, a novel compound derived from sericin peptides
期刊论文
FOOD & FUNCTION, 2017, 卷号: 8, 页码: 323-332
作者:
Fang, Yuwen
;
Wang, Shaoyun
;
Wu, Jinhong
;
Zhang, Li
;
Wang, Zhengwu
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/11/21
The fabrication and application of magnetite coated N-doped carbon microtubes hybrid nanomaterials with sandwich structures
期刊论文
Dalton transactions (Cambridge, England : 2003), 2017, 卷号: 46, 页码: 9172-9179
作者:
Zhang Min[1]
;
Chen Liangfei[2]
;
Zheng Jing[3]
;
Li Weizhen[4]
;
Hayat Tasawar[5]
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/04/26
Positive Shift in Threshold Voltage Induced by CuO and NiOxGate in AlGaN/GaN HEMTs
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 卷号: 64, 期号: 8
作者:
Wang, Jingli
;
Zou, Xuming
;
Zhang, Kai
;
Guo, Yaxiong
;
Li, Yi
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/05
Positive Shift in Threshold Voltage Induced by CuO and NiOx Gate in AlGaN/GaN HEMTs
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 期号: 8
作者:
Li, Yi
;
Guo, Yaxiong
;
Zhang, Kai
;
Zou, Xuming
;
Wang, Jingli
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/05
AlGaN/GaN
CuO gate
NiOx gate
p-type metal oxide
threshold voltage
Experimental evidences for reducing Mg activation energy in high Al-content AlGaN alloy by Mg-Ga delta doping in (AlN)(m)/(GaN)(n) superlattice
期刊论文
SCIENTIFIC REPORTS, 2017, 卷号: 7
作者:
Wang, Xiao
;
Wang, Wei
;
Wang, Jingli
;
Wu, Hao
;
Liu, Chang
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/05
Positive Shift in Threshold Voltage Induced by CuO and NiOxGate in AlGaN/GaN HEMTs
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 卷号: 64, 期号: 8
作者:
Li, Yi
;
Guo, Yaxiong
;
Zhang, Kai
;
Zou, Xuming
;
Wang, Jingli
收藏
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浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2019/12/05
Positive Shift in Threshold Voltage Induced by CuO and NiOₓ Gate in AlGaN/GaN HEMTs
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 页码: 1-6
作者:
Yi Li
;
Yaxiong Guo
;
Kai Zhang
;
Xuming Zou
;
Jingli Wang
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/12/31
Logic gates
HEMTs
MODFETs
Aluminum gallium nitride
Wide band gap semiconductors
Threshold voltage
AlGaN/GaN
CuO gate
NiOₓ
gate
p-type metal oxide
threshold voltage.
Dielectric Engineering of a Boron Nitride/Hafnium Oxide Heterostructure for High-Performance 2D Field Effect Transistors
期刊论文
ADVANCED MATERIALS, 2016, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 2062-+
作者:
Zou, Xuming
;
Huang, Chun-Wei
;
Wang, Lifeng
;
Yin, Long-Jing
;
Li, Wenqing
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2017/01/23
新事件相关电位诊疗干预技术在精神分裂症社区防治预警康复中的推广应用——附10家推广单位资料分析
期刊论文
现代电生理学杂志, 2016, 期号: 2
作者:
宋立升
;
杨卫敏
;
李春波
;
陈美娟
;
禹顺英
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/05
精神分裂症
新兴诊疗干预技术
社区防治
预警
新事件相关电位
推广研究
Meclofenamic acid selectively inhibits FTO demethylation of m(6)A over ALKBH5
期刊论文
核酸研究, 2015
Huang, Yue
;
Yan, Jingli
;
Li, Qi
;
Li, Jiafei
;
Gong, Shouzhe
;
Zhou, Hu
;
Gan, Jianhua
;
Jiang, Hualiang
;
Jia, Gui-Fang
;
Luo, Cheng
;
Yang, Cai-Guang
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/15
PROMOTE PROTEIN STABILITY
OBESITY-ASSOCIATED FTO
OXIDATIVE DEMETHYLATION
CRYSTAL-STRUCTURES
RNA DEMETHYLASE
ALKYLATION DAMAGE
ESCHERICHIA-COLI
MESSENGER-RNA
HISTONE DEMETHYLASES
MAXIMUM-LIKELIHOOD
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