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| 氮化镓基半导体层叠结构、其制造方法以及采用该层叠结构的化合物半导体和发光器件 专利
专利号: CN100524625C, 申请日期: 2009-08-05, 公开日期: 2009-08-05
作者: 宇田川隆
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| III族窒化物半導体発光素子 专利
专利号: JP4306015B2, 申请日期: 2009-05-15, 公开日期: 2009-07-29
作者: 笠原 明; 宇田川 隆
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| III族窒化物半導体発光素子 专利
专利号: JP4277363B2, 申请日期: 2009-03-19, 公开日期: 2009-06-10
作者: 宇田川 隆
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| pn结型化合物半导体发光二极管 专利
专利号: CN1969394A, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2007-05-23
作者: 小田原道哉; 宇田川隆
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| エピタキシャルウェハおよび化合物半導体デバイス 专利
专利号: JP3747125B2, 申请日期: 2005-12-02, 公开日期: 2006-02-22
作者: 寺嶋 一高; 津崎 卓司; 宇田川 隆
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| 量子井戸構造発光素子 专利
专利号: JP3399374B2, 申请日期: 2003-02-21, 公开日期: 2003-04-21
作者: 宇田川 隆
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| 窒化ガリウム·インジウム結晶層の気相成長方法 专利
专利号: JP2000216096A, 申请日期: 2000-08-04, 公开日期: 2000-08-04
作者: 宇田川 隆
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| 窒化物半導体発光素子 专利
专利号: JP2000174342A, 申请日期: 2000-06-23, 公开日期: 2000-06-23
作者: 宇田川 隆
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| III族窒化物半導体発光素子 专利
专利号: JP2000150957A, 申请日期: 2000-05-30, 公开日期: 2000-05-30
作者: 宇田川 隆
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| III族窒化物半導体素子 专利
专利号: JP2000004046A, 申请日期: 2000-01-07, 公开日期: 2000-01-07
作者: 寺嶋 一高; 宇田川 隆
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2019/12/30 |
