| III族窒化物半導体発光素子 | |
| 宇田川 隆 | |
| 2000-05-30 | |
| 著作权人 | SHOWA DENKO KK |
| 专利号 | JP2000150957A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III族窒化物半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 比較的長波長の可視光を発するIII 族窒化物発光素子を得るために、結晶性に劣る高インジウム組成比の窒化ガリウム·インジウムを活性層とすると、強度的に優れる発光素子が得られ難い問題点を解決する。 【解決手段】 発光層を超格子構造を下地層として設け、発光層の結晶性を向上させる。また、発光層と上部接合層との界面での結晶組成の急峻性を確保して、発光層内に長波長の発光をもたらすに都合の良い、バンドの曲折部を形成する。 |
| 公开日期 | 2000-05-30 |
| 申请日期 | 1998-11-12 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75622]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SHOWA DENKO KK |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宇田川 隆. III族窒化物半導体発光素子. JP2000150957A. 2000-05-30. |
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