| エピタキシャルウェハおよび化合物半導体デバイス | |
| 寺嶋 一高; 津崎 卓司; 宇田川 隆 | |
| 2005-12-02 | |
| 著作权人 | 昭和電工株式会社 |
| 专利号 | JP3747125B2 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | エピタキシャルウェハおよび化合物半導体デバイス |
| 英文摘要 | 【課題】 エピタキシャルウェハにおいて、緩衝層と、その上面に積層させる立方晶のIII 族窒化物半導体層との整合性をほぼ完全なものにできるようにする。
【解決手段】 この発明のエピタキシャルウェハ10は、立方晶の結晶基板1と、この結晶基板1上に形成した、一般構造式がBpGaqAs(0xGayInzNwM1-w 層(0≦x、y、z≦1、x+y+z=1、0 |
| 公开日期 | 2006-02-22 |
| 申请日期 | 1998-03-10 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41911]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 昭和電工株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 寺嶋 一高,津崎 卓司,宇田川 隆. エピタキシャルウェハおよび化合物半導体デバイス. JP3747125B2. 2005-12-02. |
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