| III族窒化物半導体素子 | |
| 寺嶋 一高; 宇田川 隆 | |
| 2000-01-07 | |
| 著作权人 | 昭和電工株式会社 |
| 专利号 | JP2000004046A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III族窒化物半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 GaAsを基板として、連続性と結晶性に優れる立方晶のIII 族窒化物半導体結晶層からなる発光部を構成して発光特性に優れるIII 族窒化物半導体発光素子を得る。 【解決手段】 GaAs基板上にBP系材料からなる低温緩衝層を設ける。低温緩衝層上にはBPN混晶またはBAsN混晶からなる接合層を設ける。この積層系を下地として結晶性に優れるIII 族窒化物半導体結晶層からなる発光部を構成する。 |
| 公开日期 | 2000-01-07 |
| 申请日期 | 1998-06-15 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51187]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 昭和電工株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 寺嶋 一高,宇田川 隆. III族窒化物半導体素子. JP2000004046A. 2000-01-07. |
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