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半導体レーザ装置 专利
专利号: JP2018164068A, 申请日期: 2018-10-18, 公开日期: 2018-10-18
作者:  萩元 将人;  反町 進;  土屋 朋信
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半導体レーザ装置 专利
专利号: JP2018164069A, 申请日期: 2018-10-18, 公开日期: 2018-10-18
作者:  萩元 将人;  柳澤 浩徳;  土屋 朋信
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半導体レーザ素子 专利
专利号: JP2010034246A, 申请日期: 2010-02-12, 公开日期: 2010-02-12
作者:  中原 宏治;  土屋 朋信;  寺野 昭久;  柳澤 浩徳
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光半導体素子及びその製造方法 专利
专利号: JP2010027936A, 申请日期: 2010-02-04, 公开日期: 2010-02-04
作者:  北谷 健;  土屋 朋信;  牧野 茂樹;  深町 俊彦
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半導体レーザ 专利
专利号: JP4003250B2, 申请日期: 2007-08-31, 公开日期: 2007-11-07
作者:  青木 雅博;  中原 宏治;  魚見 和久;  土屋 朋信;  佐藤 宏
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半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2005150181A, 申请日期: 2005-06-09, 公开日期: 2005-06-09
作者:  佐藤 宏;  土屋 朋信;  青木 雅博;  北谷 健;  ▲高▼橋 範次
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半導体光素子 专利
专利号: JP2001036195A, 申请日期: 2001-02-09, 公开日期: 2001-02-09
作者:  土屋 朋信;  大家 彰;  古森 正明;  佐藤 宏;  青木 雅博
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光伝送装置 专利
专利号: JP2001024275A, 申请日期: 2001-01-26, 公开日期: 2001-01-26
作者:  須藤 剣;  魚見 和久;  土屋 朋信;  古森 正明
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波長可変光源及びそれを用いた光学装置 专利
专利号: JP2000294869A, 申请日期: 2000-10-20, 公开日期: 2000-10-20
作者:  青木 雅博;  佐々木 慎也;  土屋 朋信;  五明 博之
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結晶成長装置 专利
专利号: JP2000100728A, 申请日期: 2000-04-07, 公开日期: 2000-04-07
作者:  古森 正明;  大家 彰;  青木 雅博;  佐藤 宏;  土屋 朋信
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