光伝送装置
須藤 剣; 魚見 和久; 土屋 朋信; 古森 正明
2001-01-26
著作权人HITACHI LTD
专利号JP2001024275A
国家日本
文献子类发明申请
其他题名光伝送装置
英文摘要【課題】簡易な作製法で実現することが可能な実用性の高い利得結合分布帰還型半導体レーザを実現し、それを搭載した高性能、かつ低コストの光伝送装置を提供すること。 【解決手段】活性層とクラッド層と当該両層の間に屈折率結合を形成するための回折格子とを配置した分布帰還型半導体レーザであって、回折格子とクラッド層の間の境界に、化合物半導体を酸化させた周期層からなりかつその周期が回折格子と同一の絶縁体回折格子を配置した半導体レーザを搭載する。
公开日期2001-01-26
申请日期1999-07-05
状态失效
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80565]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位HITACHI LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
須藤 剣,魚見 和久,土屋 朋信,等. 光伝送装置. JP2001024275A. 2001-01-26.
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