| 半導体レーザ装置 | |
| 萩元 将人; 反町 進; 土屋 朋信 | |
| 2018-10-18 | |
| 著作权人 | ウシオオプトセミコンダクター株式会社 |
| 专利号 | JP2018164068A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】単結晶SiC基板を活用した半導体レーザ装置において、良好な放熱性を確保する。 【解決手段】半導体レーザ装置100は、第一面11と第二面12とを有する導電性の単結晶のSiC基板10と、第一面11上に配置された半導体レーザチップ(LDチップ20)と、を備える。また、半導体レーザ装置100は、SiC基板10の第一面11側に設けられ、半導体レーザチップ20が配置された第一導電層13と、第一導電層13とSiC基板10の第二面12側に接合されるべき導電性部材(第二導電層14、ヒートシンク部30)との間を絶縁する絶縁膜15aと、を備えることができる。 【選択図】 図2 |
| 公开日期 | 2018-10-18 |
| 申请日期 | 2017-08-29 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/68004]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ウシオオプトセミコンダクター株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 萩元 将人,反町 進,土屋 朋信. 半導体レーザ装置. JP2018164068A. 2018-10-18. |
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