| 光半導体素子及びその製造方法 | |
| 北谷 健; 土屋 朋信; 牧野 茂樹; 深町 俊彦 | |
| 2010-02-04 | |
| 著作权人 | OPNEXT JAPAN INC |
| 专利号 | JP2010027936A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 Ruドーピング半絶縁半導体層を用いた埋め込み型光半導体素子の実用化のため、水素の大量に存在する成長環境下においても、より絶縁性の高いRuドーピング半絶縁半導体層を再現よく、容易に形成する。 【解決手段】 Ruドーピング半絶縁半導体層の成長時に、化合物半導体の原料ガス、キャリアガスとは別に、ハロゲン原子を含有するガスを水素と同時に添加することで、Ruと水素との結合を抑制することで実現する。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2010-02-04 |
| 申请日期 | 2008-07-23 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71807]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OPNEXT JAPAN INC |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 北谷 健,土屋 朋信,牧野 茂樹,等. 光半導体素子及びその製造方法. JP2010027936A. 2010-02-04. |
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