|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 分布帰還型半導体レーザ装置 专利
专利号: JP3714984B2, 申请日期: 2005-09-02, 公开日期: 2005-11-09
作者: 高橋 幸司; 厚主 文弘; 種谷 元隆
  收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| 半導体レーザ素子 专利
专利号: JP3652072B2, 申请日期: 2005-03-04, 公开日期: 2005-05-25
作者: 厚主 文弘; 大久保 伸洋
收藏 | 浏览/下载：46/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 半導体レーザ装置およびその製造方法 专利
专利号: JP3080643B2, 申请日期: 2000-06-23, 公开日期: 2000-08-28
作者: 厚主 文弘; 猪口 和彦; 奥村 敏之; 滝口 治久
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利号: JP1999340560A, 申请日期: 1999-12-10, 公开日期: 1999-12-10
作者: 厚主 文弘; 川戸 伸一
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| III-V族化合物半導体発光素子 专利
专利号: JP1998308551A, 申请日期: 1998-11-17, 公开日期: 1998-11-17
作者: 大久保 伸洋; 厚主 文弘; 渡辺 昌規
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| 分布帰還型半導体レーザ装置 专利
专利号: JP1997186394A, 申请日期: 1997-07-15, 公开日期: 1997-07-15
作者: 厚主 文弘; 種谷 元隆; 高橋 幸司; 山本 圭
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| 半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2554192B2, 申请日期: 1996-08-22, 公开日期: 1996-11-13
作者: 瀧口 治久; 中津 弘志; 猪口 和彦; 厚主 文弘; 坂根 千登勢
收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利号: JP2547459B2, 申请日期: 1996-08-08, 公开日期: 1996-10-23
作者: 滝口 治久; 猪口 和彦; 厚主 文弘; 奥村 敏之; 坂根 千登勢
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| 半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利号: JP2547458B2, 申请日期: 1996-08-08, 公开日期: 1996-10-23
作者: 中津 弘志; 猪口 和彦; 厚主 文弘; 奥村 敏之; 滝口 治久
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利号: JP1996034334B2, 申请日期: 1996-03-29, 公开日期: 1996-03-29
作者: 厚主 文弘; 中津 弘志; 猪口 和彦; 奥村 敏之; 関 章憲
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2020/01/13 |
