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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 (p)nc-Si:H/(n)c-Si异质结变容二极管 期刊论文 半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: 745-750 韦文生; 王天民; 张春熹; 李国华; 卢励吾 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/11/23 nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析 期刊论文 半导体学报, 1998 彭英才; 刘明; 余明斌; 李月霞; 奚中和; 何宇亮 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2017/12/03 nc-Si:H/c-Si量子点二极管  共振隧穿特性   nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析 期刊论文 半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: 583 彭英才; 刘明; 余明斌; 李月霞; 奚中和; 何宇亮 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/23 nc-Si∶H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析 期刊论文 1998, 页码: 24-31 作者:  彭英才;  刘明;  余明斌;  李月霞;  奚中和 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/25 共振隧穿  H/c-Si  nc-Si  反向偏压  量子点结构  量子化  特性曲线  负偏压  特性分析  晶粒大小   nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析 期刊论文 半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: 583 作者:  彭英才[1];  刘明[2];  余明斌[3];  李月霞[4];  奚中和[5] 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/31 nc-Si:H/c-Si量子点二极管  共振隧穿特性