| nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析 | |
| 彭英才[1]; 刘明[2]; 余明斌[3]; 李月霞[4]; 奚中和[5]; 何宇亮[6] | |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 1998 | |
| 卷号 | 19期号:8页码:583 |
| 关键词 | nc-Si:H/c-Si量子点二极管 共振隧穿特性 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 收录类别 | 中文核心期刊要目总览CSCD |
| WOS记录号 | WOS: |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6014905 |
| 专题 | 河北大学 |
| 作者单位 | 1.河北大学电子与信息工程系 2.北京航空航天大学非晶态物理与光信息研究室 3.中科院半导体所 4.北京大学无线电电子学系 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭英才[1],刘明[2],余明斌[3],等. nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析[J]. 半导体学报,1998,19(8):583. |
| APA | 彭英才[1],刘明[2],余明斌[3],李月霞[4],奚中和[5],&何宇亮[6].(1998).nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析.半导体学报,19(8),583. |
| MLA | 彭英才[1],et al."nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析".半导体学报 19.8(1998):583. |
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