nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析

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	nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析
	彭英才 ; 刘明 ; 余明斌 ; 李月霞 ; 奚中和 ; 何宇亮
刊名	半导体学报
	1998
关键词	nc-Si:H/c-Si量子点二极管共振隧穿特性
英文摘要	采用常规PECVD工艺，在N型单晶硅(c-Si)衬底上沉积薄层纳米Si(nc-Si)膜，并进而制备了nc-Si:H/c-Si量子点二极管。在10～100K温度范围内实验研究了该结构的σ-V和I-V特性。结果指出，当反向偏压为-7～-9V时，无论在σ-V还是在I-V特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶，此起因于在nc-Si:H膜中具有无序排布且粒径大小不一的Si微晶粒中，由于微晶粒中能级的量子化而导致的共振隧穿现象。如果进一步改进膜层生工艺，以制备出具有趋于有序排布、尺寸均匀和粒径更小的Si微晶粒的nc-Si:H膜，有可能实现更高温度范围内的共振隧穿。; 国家自然科学基金,河北省自然科学基金; 中文核心期刊要目总览(PKU); 中国科学引文数据库(CSCD); 8; 583; 19
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.pku.edu.cn/handle/20.500.11897/429101]
专题	信息科学技术学院
推荐引用方式 GB/T 7714	彭英才,刘明,余明斌,等. nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析[J]. 半导体学报,1998.
APA	彭英才,刘明,余明斌,李月霞,奚中和,&何宇亮.(1998).nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析.半导体学报.
MLA	彭英才,et al."nc-Si:H/c-Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析".半导体学报 (1998).