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上海微系统与信息技术... [4]
内容类型
期刊论文 [3]
成果 [1]
发表日期
2012 [3]
2009 [1]
学科主题
Engineerin... [2]
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薄膜SOI上大于600 V LDMOS器件的研制
期刊论文
半导体技术, 2012, 期号: 4, 页码: 254-257
王中健
;
夏超
;
徐大伟
;
程新红
;
宋朝瑞
;
俞跃辉
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2013/02/22
绝缘体上硅
横向扩散金属氧化物半导体
击穿电压
线性渐变掺杂
注氧键合
Realization of 850 V breakdown voltage LDMOS on Simbond SOI
期刊论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2012, 卷号: 91, 页码: 102-105
Wang, ZJ
;
Cheng, XH
;
He, DW
;
Xia, C
;
Xu, DW
;
Yu, YH
;
Zhang, D
;
Wang, YY
;
Lv, YQ
;
Gong, DW
;
Shao, K
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2013/04/17
SOI
Simbond
High voltage device
LDMOS
Realization of 850 V breakdown voltage LDMOS on Simbond SOI
期刊论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2012, 卷号: 91, 页码: 102-105
Wang, ZJ
;
Cheng, XH(重点实验室)
;
He, DW
;
Xia, C
;
Xu, DW
;
Yu, YH(重点实验室)
;
Zhang, D
;
Wang, YY
;
Lv, YQ
;
Gong, DW
;
Shao, K
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2013/05/10
Engineering
Physics
Electrical & Electronic
Nanoscience & Nanotechnology
Applied
Optics
高端硅基SOI材料研发和产业化
成果
鉴定: 无, 2009
王曦等
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浏览/下载:105/0
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提交时间:2013/04/12
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